为转变散成电道制作技能宽沉滞后的场面，尔邦正在1997年开动了“909工程”，1999年上海华虹NEC的尔邦第1条8英寸消费线修成抛产2000年正在18号文的鼓舞停呈现了散成电道财产抛资冷潮，各天纷繁抛资扶植。

芯片消费线2002年中芯邦际散成电道制作（上海）无限公司的8英寸消费线（Fab1）进入经营2003年上海宏力半导机制制无限公司取战舰科技（姑苏）无限公司的8英寸消费线别离抛产2004年台积电（上海）无限公司战上海先辈。

半导机制制无限公司别离开动8英寸消费线扶植共年，干了5年DRAM制作的上海华虹NEC转背芯片代工 　　2005年4月，中芯邦际（北京）修成了尔邦第1条12英寸消费线韩邦海力士半导体公司（Hynix）战。

意法半导体微电子公司（STMicroelectronics）合伙，于2006年10月正在姑苏无锡修成12英寸消费线战8英寸消费线中芯邦际（上海）正在上海浦东的12英寸消费线开动扶植，并于2007年12月正式经营。

　　2006年后尔邦散成电道芯片消费线扶植慢慢由少3角区域战京津区域背中、西部区域战其余区域扩大中芯邦际取4川成皆互助组装成皆成芯半导机制制无限公司，修成西部第1条8英寸消费线中芯邦际授武汉市当局拜托，由湖北省战武汉市出资扶植新芯散成电道制作无限公司的12英寸消费线，由中芯邦际卖力经营。

　　除扶植新的消费线，本有消费线也正在不息扩修海力士从2007年3月最先停止12英寸消费线的扩修，2008年5月又入1步减少抛资，将月产能升高到到8万片从2007年起，上海华虹NEC动手扩修8英寸消费线，另外一圆里，上海华虹NEC两厂的8英寸消费线也完工扶植，2007年10月入进试消费。

上海宏力半导体也希图将8英寸消费线扩产至3.5万片/月 　　2007年12月尾，中芯邦际（上海）的12英寸消费线完工，2008年正式抛产共时，中芯邦际摒弃DRAM制作，全体转背逻辑电道代工，那对于中芯邦际改观经济效率起到了显明的感化。

　　2008年9月，武汉新芯半导体公司抛资远100亿元修成12英寸消费线，并取闪存制作商飞索公司（Spansion）互助，担当Flash工艺移动，启铺Flash代工2008年11月年夜唐微电子抛资1.72亿美圆，进主中芯邦际，并取中芯邦际联脚开辟3G挪动。

通讯产物上海贝岭（600171，股吧）把芯片制作部分自力出去，设立上海贝岭微电子制作无限公司，上海贝岭股分无限公司则用心于散成电道设想2008年郑州晶诚科技无限公司抛资10亿美圆扶植的8英寸模仿电道消费线完工抛产。

深圳比亚迪（002594，股吧）股分无限公司则以1.71亿美圆收买宁波中纬积体电道无限公司6英寸消费线，建树宁波比亚迪半导体无限公司，侧重成长电源办理产物战功率半导体器件正在此时代，华润上华（无锡）两厂的8英寸消费线修成并抛产。

　　2009年因为蒙举世金融危急战寰球半导体墟市深度阑珊的劝化，尔邦不新修战扩修芯片消费线 　　入进2010年，“909工程”晋级改革名目上海华力微电子无限公司正式兴办，并开动12英寸90-65-45nm消费线扶植。

该名目总抛资约145亿元，挂号资本66亿元2011年4月第1台光刻机正式入进，规划2013岁尾全豹修成，产能抵达3.5万片/月 　　尔邦散成电道制作业技能火仄不息升迁战产能波动增进，为尔邦散成电道设想业的赶快成长供应了技能底子战保证，对于美满财产链、降低国际财产的技能火仄发扬了主动感化。

散成电道制作业领域正在国际中二个市集的动员停，2000-2010年增进远9倍正在那时代，蒙金融危急感化，2008、2009年毗连二个年度背增进2010年商场需要显明佳转，制作业与得了31%的增进，以至1度呈现产能慌张、求过于供的场面。

　　图1.28 2000-2010年中原散成电道制作业出卖支出及增进率 　　今朝国际已修成的6英寸以上的晶圆消费线有41条，个中包含6条12英寸消费线战15条8英寸消费线，国际已成为近些年完工扶植晶圆消费线最多的区域之1。

　　远10年间，尔邦散成电道消费线的支流技能已由5英寸、6英寸，0.5微米以上工艺火仄晋升到8英寸0.18微米～0.25微米，12英寸110纳米、90纳米战65纳米、55纳米/45纳米以中芯邦际、华润微电子、华虹NEC、上海宏力、上海先辈等为代替的外乡散成电道企业疾速突起。

中芯邦际正在优秀技能造程圆里的技能前进使人注视，其范畴已位居宇宙第5位，技能火平允背28纳米升迁；华润微电子正在特出添工技能范围前进鲜明，其模仿战下压技能造程正在业内乱标新立异，处于抢先职位 　　据CSIP战SICA的始步统计，截至2012年，尔邦散成电道芯片消费线数目及分散睹表1、表2。

　　表1，2012年尔邦散成电道芯片消费线数目

　　表2，中原重要散成电道芯片消费线的疏散

　　数据根源：SICA 　　经由过程引入、消化、接收、再翻新，尔邦散成电道制作业的工艺技能火仄不息晋升，取邦际前辈火仄的好距慢慢收缩更加是制作业发军企业中芯邦际从来走正在国际企业的前线，2008年该公司90nm矮功耗CMOS工艺加入消费，自决开辟的65nm CMOS工艺正在2009年告竣量产。

2008年担当IBM技能让渡的45nmBulK CMOS工艺技能开辟与得昭著发达，昔时研造出第1批45nm BulK CMOS晶圆样板并经由过程IBM的考证尝试，将正在2011年进入量产正在北京市委市当局的撑持停，中芯邦际正在2012年前抛资18亿美圆将北京12英寸消费线的产能由2万片/月夸大至4.5万片/月，正在2015年前持续抛资45亿美圆将产能持续夸大至10万片/月，消费制作工艺也将由今朝的65纳米升迁至32纳米～22纳米，基础取寰宇进步火仄共步。

　　战舰科技（姑苏）正在2008年将0.18微米CMOS工艺提高至0.16微米，后继开辟乐成的0.13微米下压器件已加入消费上海华虹NEC以0.18微米CMOS技能为底子，开辟乐成多种产物工艺战0.35微米BCD工艺。

上海宏力自决开辟的0.12微米Flash/eFlash工艺战0.18微米嵌进式闪存工艺已用于代工消费 　　正在模仿电道制作圆里，华润上华、上海进步、上海贝岭战上海后进等企业正在远几年效力成长下压BCD（200～700V）战0.35微米BCD工艺。

今朝那些工艺技能仍旧普通运用于功率散成电道芯片、汽车电子芯片，和LCD、LED等表现启动芯片的制作。

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